NEXPERIA/安世原厂品牌元器件供应专区

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安世半导体中国有限公司

作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，安世半导体的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。安世半导体为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。安世半导体拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

原厂专区 > NEXPERIA/安世的搜索结果共 3142 个相关型号

稳压(齐纳)二极管(649)
逻辑IC(578)
双极型晶体管(213)
JFET晶体管(199)
TVS/ESD静电和浪涌保护(114)
肖特基二极管(51)

型号 /品牌	可替代产品-品牌	库存 /包装	阶梯	人民币含税价	美元价格	交货地(工作日)	采购量

PRMH2Z NEXPERIA/安世直流集电极/BASE GAIN: 80 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: DUAL ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: 50 V ; PD-功率耗散: 480 MW ; 直流集电极/BASE GAIN: 80 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: DUAL ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: 50 V ; PD-功率耗散: 480 MW ; 资格: AEC-Q101 ; 晶体管极性: NPN ; 发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V ; 集电极-发射极饱和电压: - 150 MV ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 协议类别: TRANSISTORS ; 样式: SMD/SMT ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: DFN-1412-6 ; 处理器: Y ; 增益带宽积（GBP）: 230 MHZ ;		5,000 5000PCS	5000+ 25000+	￥0.25852 ￥0.249528	中国内地：4-7工作日	起订量: 5000 增量: 5000 合计: ￥1,292.6
BSR41F NEXPERIA/安世资格: AEC-Q101 ; 封装: CUT TAPE, REEL ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 协议类别: TRANSISTORS ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 资格: AEC-Q101 ; 封装: CUT TAPE, REEL ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 协议类别: TRANSISTORS ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: SOT-89-3 ; 处理器: Y ;		48,000 4000PCS	4000+ 20000+	￥0.294285 ￥0.284049	中国内地：4-7工作日	起订量: 4000 增量: 4000 合计: ￥1,177.14
PQMH9Z NEXPERIA/安世封装: DFN-1010B-6 ; 包装: CUT TAPE, REEL ; 直流电流增益(HFE@IC,VCE): 100@5MA,5V ; 晶体管类型: 2个NPN-预偏置 ; 功率(PD): 350MW ; 最大集电极电流IC: 100MA ; 封装: DFN-1010B-6 ; 包装: CUT TAPE, REEL ; 直流电流增益(HFE@IC,VCE): 100@5MA,5V ; 晶体管类型: 2个NPN-预偏置 ; 功率(PD): 350MW ; 最大集电极电流IC: 100MA ; 最大集射击穿电压VCEO: 50V ; 输出电压: - ; 最大输入电压: 700MV@100UA,5V ; 输入电压: 800MV@10MA,0.3V ; 输入电阻: 10KΩ ; 电阻比率: 4.7 ;		5,000 5000PCS	5000+ 25000+	￥0.2921 ￥0.28194	中国内地：4-7工作日	起订量: 5000 增量: 5000 合计: ￥1,460.5
BCW68GR NEXPERIA/安世直流集电极/BASE GAIN: 160 ; PD-功率耗散: 250 MW ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: - 50 V ; 配置: SINGLE ; 最大直流电集电极电流: - 800 MA ; 直流集电极/BASE GAIN: 160 ; PD-功率耗散: 250 MW ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: - 50 V ; 配置: SINGLE ; 最大直流电集电极电流: - 800 MA ; 资格: AEC-Q101 ; 最大工作温度: + 150 C ; 集电极—发射极最大电压 VCEO: - 45 V ; 封装: CUT TAPE, REEL ; 发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V ; 晶体管极性: PNP ; 集电极-发射极饱和电压: - 450 MV ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 协议类别: TRANSISTORS ; 样式: SMD/SMT ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: SOT-23-3 ; 处理器: Y ; 直流电流增益(HFE@IC,VCE): 400 ; 增益带宽积（GBP）: 80 MHZ ;		6,585,000 3000PCS	3000+ 15000+	￥0.106835 ￥0.103119	中国内地：4-7工作日	起订量: 3000 增量: 3000 合计: ￥320.51
BCP52TF NEXPERIA/安世直流集电极/BASE GAIN: 63 ; PD-功率耗散: 0.6 W ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: - 60 V ; 最大直流电集电极电流: - 2 A ; 资格: AEC-Q101 ; 直流集电极/BASE GAIN: 63 ; PD-功率耗散: 0.6 W ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: - 60 V ; 最大直流电集电极电流: - 2 A ; 资格: AEC-Q101 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: SINGLE ; 封装: CUT TAPE, MOUSEREEL, REEL ; 发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V ; 晶体管极性: PNP ; 集电极-发射极饱和电压: - 500 MV ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 在25 C的连续集电极电流: - 1 A ; 协议类别: TRANSISTORS ; 样式: SMD/SMT ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: SC-73-4 ; 技术: SI ; 处理器: Y ; 直流电流增益(HFE@IC,VCE): 250 ; 增益带宽积（GBP）: 140 MHZ ;		196,000 4000PCS	4000+ 20000+	￥0.136045 ￥0.131313	中国内地：4-7工作日	起订量: 4000 增量: 4000 合计: ￥544.18
BAS416Z NEXPERIA/安世正向电压VF: 1.25V@150MA ; 资格: AEC-Q101 ; 产品: DIODES - GENERAL PURPOSE, POWER, SWITCHING ; 包装: CUT TAPE, REEL ; 封装: SOD-323-2 ; 直流反向耐压（VR）: 85V ; 正向电压VF: 1.25V@150MA ; 资格: AEC-Q101 ; 产品: DIODES - GENERAL PURPOSE, POWER, SWITCHING ; 包装: CUT TAPE, REEL ; 封装: SOD-323-2 ; 直流反向耐压（VR）: 85V ; 工作温度: - ; 反向恢复时间(TRR): 800NS ; 反向电流IR: 3PA@75V ; 整流电流: 200MA ; 二极管配置: 独立式 ;		810,000 3000PCS	3000+ 15000+	￥0.14559 ￥0.140526	中国内地：4-7工作日	起订量: 3000 增量: 3000 合计: ￥436.77
BCX52TF NEXPERIA/安世		32,000 4000PCS	4000+ 20000+	￥0.16376 ￥0.158064	中国内地：4-7工作日	起订量: 4000 增量: 4000 合计: ￥655.04
PRMD13Z NEXPERIA/安世直流集电极/BASE GAIN: 100 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: DUAL ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: 50 V ; PD-功率耗散: 480 MW ; 直流集电极/BASE GAIN: 100 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: DUAL ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: 50 V ; PD-功率耗散: 480 MW ; 资格: AEC-Q101 ; 晶体管极性: NPN, PNP ; 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V ; 集电极-发射极饱和电压: 100 MV ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 协议类别: TRANSISTORS ; 样式: SMD/SMT ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: DFN-1412-6 ; 处理器: Y ; 增益带宽积（GBP）: 230 MHZ ;	PRMD2Z - NEXPERIA/安世	20,000 5000PCS	5000+ 25000+	￥0.25852 ￥0.249528	中国内地：4-7工作日	起订量: 5000 增量: 5000 合计: ￥1,292.6
PRMH11Z NEXPERIA/安世直流集电极/BASE GAIN: 30 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: DUAL ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: 50 V ; PD-功率耗散: 480 MW ; 直流集电极/BASE GAIN: 30 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: DUAL ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: 50 V ; PD-功率耗散: 480 MW ; 资格: AEC-Q101 ; 晶体管极性: NPN ; 发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V ; 集电极-发射极饱和电压: 150 MV ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 协议类别: TRANSISTORS ; 样式: SMD/SMT ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: DFN-1412-6 ; 处理器: Y ; 增益带宽积（GBP）: 230 MHZ ;		1,175,000 5000PCS	5000+ 25000+	￥0.25852 ￥0.249528	中国内地：4-7工作日	起订量: 5000 增量: 5000 合计: ￥1,292.6
BCP51TF NEXPERIA/安世直流集电极/BASE GAIN: 63 ; PD-功率耗散: 0.6 W ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: - 45 V ; 最大直流电集电极电流: - 2 A ; 资格: AEC-Q101 ; 直流集电极/BASE GAIN: 63 ; PD-功率耗散: 0.6 W ; 最小工作温度: - 55 C ; 集电极—基极电压 VCBO: - 45 V ; 最大直流电集电极电流: - 2 A ; 资格: AEC-Q101 ; 最大工作温度: + 150 C ; 配置: SINGLE ; 封装: CUT TAPE, MOUSEREEL, REEL ; 发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V ; 晶体管极性: PNP ; 集电极-发射极饱和电压: - 500 MV ; 产品: BIPOLAR TRANSISTORS - BJT ; 带宽: NEXPERIA ; 在25 C的连续集电极电流: - 1 A ; 协议类别: TRANSISTORS ; 样式: SMD/SMT ; 产品类型: BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS ; 封装/箱体: SC-73-4 ; 技术: SI ; 处理器: Y ; 直流电流增益(HFE@IC,VCE): 250 ; 增益带宽积（GBP）: 140 MHZ ;		244,000 4000PCS	4000+ 20000+	￥0.293135 ￥0.282939	中国内地：4-7工作日	起订量: 4000 增量: 4000 合计: ￥1,172.54